EUV yok ancak Huawei’nin bir tahlili var: Yeni Kirin çipleri şaşırtabilir

ABD yaptırımları nedeniyle gelişmiş EUV litografi ekipmanlarına erişemeyen Huawei, yayımladığı yeni teknik makalede Kirin 2026 için geliştirilen hibrit bağlama (hybrid bonding) sürecini ve 3D yığın (3D stacking) tasarımını detaylandırdı. Şirketin daha önce tanıttığı LogicFolding Design yaklaşımını temel alan bu yöntem, gelişmiş EUV litografi ekipmanına ihtiyaç duymadan daha yüksek transistör yoğunluğu elde etmeyi amaçlıyor.

Teknik makalede yer alan tasarıma göre Kirin 2026’da katmanlar arasında yoğun dikey bağlantılar oluşturuluyor. Böylece işlemci bileşenleri yatay yerine dikey olarak istiflenebiliyor ve bileşenler arasındaki fiziksel mesafe önemli ölçüde azalıyor.

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

Daha kısa veri yolları, daha yüksek bant genişliği

Huawei’nin paylaştığı teknik bilgilere göre bu tasarımda veriler, milimetreler yerine mikrometre ölçeğindeki mesafelerde taşınabiliyor. Bu sayede CPU, GPU, NPU, DRAM ve diğer bileşenler arasındaki iletişim hızlanırken, elektrik sinyallerinin daha kısa mesafelerde iletilmesi sayesinde güç tüketimi de düşüyor.

Şirket, hibrit bağlama yönteminin bant genişliğini artırabileceğini, enerji verimliliğini iyileştirebileceğini ve gelecekteki mobil işlemcilerin performansını yükseltebileceğini ifade ediyor. Bu yaklaşımın cihaz üzerinde çalışan yapay zeka uygulamaları gibi yüksek işlem gücü gerektiren kullanım senaryolarına da katkı sağlaması hedefleniyor.

Paketleme teknolojileri giderek daha fazla önem kazanıyor

Huawei’nin teknik çalışması, şirketin SMIC’in 7 nm üretim süreci ile üretim yaptığı mevcut koşullarda gelişmiş paketleme teknolojilerine odaklandığını da gösteriyor. Hibrit bağlama yaklaşımı, gelişmiş litografi teknolojilerine erişim olmadan daha rekabetçi mobil işlemciler geliştirmeye yönelik çözümlerden biri olarak öne çıkıyor.

Benzer çalışmalar sektördeki diğer üreticiler tarafından da yürütülüyor. Mevcut Package-on-Package (PoP) paketleme teknolojilerinin performans açısından sınırlarına ulaşması nedeniyle üreticiler farklı yöntemler geliştiriyor.

Örneğin, Samsung’un Exynos 2700 işlemcisinde DRAM’in yonga kalıbından ayrı tutulduğu ve işlemcinin soğutulması için üst kısmında Heat Pass Block adı verilen bakır bir soğutucunun kullanılacağı belirtiliyor. Öte yandan Apple’ın A20 Pro işlemcisinin ise Wafer-Level Multi-Chip Module (WMCM) paketleme teknolojisinden yararlanacağı ve büyük bir buhar odası ile doğrudan temas ederek ısının daha verimli şekilde dağıtılmasının hedeflendiği ifade ediliyor.