Samsung vites yükseltiyor: HBM4 ve GDDR7 planları netleşti

Samsung, üçüncü çeyrek mali raporuyla birlikte yeni nesil bellek planlarını duyurdu. Şirket, HBM4 belleklerin 2026 yılında seri üretime gireceğini, ayrıca 24Gb GDDR7 DRAM ve 128GB üzeri DDR5 modüller üzerinde de çalıştığını açıkladı. 2nm GAA üretim süreci de bu dönemde tam kapasiteye ulaşacak.

Samsung’un HBM4 yol haritası netleşti

Kaçıranlar için Samsung’un geçtiğimiz haftalarda tanıttığı HBM4 bellek çözümü, pin başına 11 Gbps hızlarda NVIDIA ve AMD’nin gelecek nesil hızlandırıcılarına güç verecek. Bu bağlamda şirket, HBM4 örneklerini üreticilere test ve değerlendirme amacıyla göndermeye başladı.

2026 yılına girerken Samsung’un hedefi yalnızca HBM4 üretimini hızlandırmak değil, aynı zamanda 2nm GAA (Gate-All-Around) üretim hattını da kararlı hale getirmek. Bu süreç, hem yeni Exynos serilerinde hem de gelecekteki Snapdragon yongalarında kullanılacak. Şirketin ABD’nin Texas eyaletindeki Taylor tesisinde de aynı yıl içinde üretim faaliyetlerinin başlaması planlanıyor.

Samsung, yüksek bellek ürünlerinde çeşitliliği artırmayı hedefliyor. 2026’da 24Gb GDDR7 belleklerin yanı sıra 128GB ve üzeri DDR5 modüller de sunulacak. Bu çözümler, AMD ve Intel’in yeni sunucu platformlarının çıkışıyla birlikte yapay zekâ odaklı veri merkezlerinde yer bulacak.

Öte yandan, GDDR7 bellekler yalnızca profesyonel alanda değil, üst düzey tüketici segmentinde de kullanılacak. Nvidia’nın yeni Rubin CPX GPU’su ve RTX 50 “SUPER” serisi dahil olmak üzere birçok ekran kartında GDDR7’nin tercih edilmesi bekleniyor. Aynı şekilde, AMD’nin olası RDNA 5 veya RDNA 4 yenileme serilerinde de bu bellek tipine geçiş yapılabilir.