Samsung, Bellek Teknolojilerinde Büyük Atılımı Gerçekleştiriyor

Samsung Electronics, ABD’de düzenlenen FMS 2026 etkinliğinde yapay zeka odaklı yeni bellek teknolojilerini tanıttı. Şirket, 400’den fazla katmana sahip V10 BV-NAND, yapay zeka hızlandırıcılarının üzerine yerleştirilen zHBM mimarisi ve cihaz üzerinde yapay zeka için geliştirilen zNAND-O çözümleriyle gelecek nesil AI altyapısına yönelik yol haritasını paylaştı.

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

Samsung, bellek teknolojilerinde büyük bir atılım gerçekleştirdi ve yeni nesil bellek çözümlerini tanıttı. Şirket, zHBM, zNAND-O ve V10 BV-NAND’ı piyasaya sürdü ve bunlarla ilgili önemli avantajlar sundu.

zHBM, bellek işlemcinin üzerine taşınıyor ve işlemci ile bellek arasındaki veri yolu önemli ölçüde kısalıyor. Samsung, yeni arayüz sisteminin HBM5’e kıyasla 8 kata kadar daha yüksek performans sağlayacağını belirtiyor. Ayrıca geliştirilen wafer bonding teknolojisi sayesinde bellek yoğunluğunun HBM5’in 10 katından fazla artırılabileceği, enerji verimliliğinin üç katına çıkacağı ve termal direncin yarıdan fazla azalacağı ifade ediliyor.

Etkinliğin en dikkat çeken duyurusu, Samsung’un ilk kez gösterimini yaptığı zHBM (3D High Bandwidth Memory) konsepti oldu. Geleneksel HBM tasarımlarında bellek yongaları yapay zeka işlemcisinin yanına yerleştirilirken zHBM mimarisinde bellek doğrudan AI hızlandırıcısının üzerine dikey olarak istifleniyor.

zNAND-O, yerel AI için geliştirildi ve küçük bir alanda daha yüksek depolama kapasitesi ve bant genişliği sunuyor. Gecikme süresini de azaltıyor ve özellikle Edge AI ve cihaz üzerinde gerçek zamanlı büyük veri işleyen yapay zeka uygulamalarını hedefliyor.

V10 BV-NAND, 400 katmanlı bir yapıya sahip ve yüksek depolama kapasitesi sunuyor. Samsung, etkinlikte mevcut ve gelecek nesil yapay zeka bellek ürünlerini de sergiledi ve HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 ve BM1773 çözümlerini tanıttı.

Şirket ayrıca zHBM’nin özelleştirilebilir bir mimari olduğunu vurguluyor. Bellek ile yapay zeka hızlandırıcısı arasındaki katmana eklenecek özel tasarım IP blokları sayesinde müşteriler, bellek kapasitesini artırabilecek veya hızlandırıcının belirli işlevlerini geliştirebilecek.

Bu yeni duyurular, yapay zekanın giderek artan depolama ihtiyacıyla aynı döneme denk geliyor. Büyük dil modellerinin eğitiminin yanı sıra, günlük kullanımda sorgulara yanıt üreten çıkarım süreçlerinin yaygınlaşması, yüksek kapasiteli ve enerji verimli NAND çözümlerine olan talebi hızla artırıyor.

Şirket geçen hafta yaptığı açıklamada, uzun vadeli müşteri anlaşmalarının gelecekte bellek satışlarının yüzde 60 ila 70’ini oluşturabileceğini belirtmişti. Piyasada akıllı telefon talebine ilişkin soru işaretleri bulunsa da analistler, hem DRAM hem de NAND tedarik zincirindeki stok seviyelerinin tarihsel ortalamaların altında kaldığını ve yapay zeka kaynaklı talebin güçlü seyrini sürdürdüğünü ifade ediyor.

Samsung, bu sayede V9 nesline kıyasla depolama yoğunluğunu yaklaşık yüzde 58 artırdığını açıkladı. Aynı alana daha fazla veri sığdırabilen V10 BV-NAND’ın okuma, yazma ve I/O performansı da yükseltilmiş durumda. Ayrı üretim yaklaşımı, katman sayısı arttıkça ortaya çıkan üretim karmaşıklığı ve yonga kalınlığı sorunlarının da daha kolay yönetilmesini sağlıyor.

Samsung ayrıca 400’den fazla katmana sahip 10. nesil V-NAND çözümü V10 BV-NAND‘ı da ilk kez sergiledi. BV (Bonding Vertical) mimarisi, verilerin depolandığı hücre katmanları ile kontrol devrelerini ayrı ayrı ürettikten sonra bunları dikey olarak birleştiriyor. Yeni tasarımda wafer bonding teknolojisinin yanında hücrelerin üç ayrı bölüm halinde üretilip sonradan birleştirildiği 3-stack yöntemi de kullanılıyor.

Samsung’un tanıttığı bir diğer yeni teknoloji ise zNAND-O oldu. V-NAND teknolojisi üzerine inşa edilen çözüm TSV teknolojisini kullanarak 4 veya 8 NAND yongasını dikey şekilde istifliyor.