Samsung, HBM4 Verimliliği Hedefine 6 Ay Önce Ulaştı

Samsung, yapay zeka işlemcilerinde kullanılan yüksek bant genişlikli bellek pazarında elini güçlendirmeye devam ediyor. Son olarak şirketin HBM4 üretiminde verimlilik oranını yaklaşık yüzde 80’e çıkardığı bildirildi.

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

HBM4 Verimliliği Hızla Yükseldi

Samsung, HBM4 bellek üretimi için Şubat 2026’da seri üretimine başladı. Şirketin ilk üretim döneminde verimlilik, optimize edilen üretim süreçleri sayesinde yaklaşık altı ay içinde yüzde 80 seviyesine yaklaştı. Böylece Samsung, yıl sonu için belirlediği hedefe planlanandan çok daha erken ulaştı.

Samsung’un HBM4 çözümü 1c sınıfı 10 nm DRAM ve 4 nm mantık üretim süreçlerini kullanıyor. Bellek, 11,7-13,0 Gbps pin hızlarına ve yığın başına 3,3 TB/s’ye kadar bant genişliğine ulaşıyor. 2.048 pinli arayüze sahip ürünler 12-Hi yapıda 24 ve 36 GB, 16-Hi yapıda ise 48 GB kapasite sunuyor.

Şirket ayrıca HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 daha yüksek güç verimliliği, yüzde 10 daha iyi termal direnç ve yüzde 30 daha iyi ısı dağıtımı sağlıyor.

HBM4 Gelir Beklentisi Üç Kat Arttı

Üretimdeki hızlı iyileşme Samsung’un ticari hedeflerine de yansıyor. Şirket, 2026’nın üçüncü çeyreğinde HBM4 DRAM gelir beklentisini üç kat artırırken yılın ikinci yarısında HBM4’ün toplam HBM ürünleri içindeki payını yüzde 60’ın üzerine çıkarmayı hedefliyor.

Samsung aynı zamanda HBM4E çalışmalarını da sürdürüyor. Yeni nesil belleğin güvenilirlik testlerindeki verimlilik oranının yüzde 70’e ulaştığı belirtiliyor. Daha önce tanıtılan HBM4E, yığın başına 48 GB kapasite ve 4 TB/s’ye kadar bant genişliği sunuyor.

Samsung’un HBM4 tarafındaki ilerlemesini destekleyen en önemli gelişmelerden biri AMD ile yapılan iş birliği. AMD, Instinct MI400 platformunda Samsung’un HBM4 belleklerini kullanıyor. Samsung ise HBM4E ile birlikte Nvidia’yı da müşteri portföyüne dahil etmeyi hedefliyor. Şirketin hedefinde Nvidia Rubin Ultra ve AMD’nin gelecek nesil MI500 serisi bulunuyor.

Samsung’un HBM4 çözümü, 1c sınıfı 10 nm DRAM ve 4 nm mantık üretim süreçlerini kullanıyor. Bu, belleğin daha yüksek hızlara ulaşmasına ve daha fazla kapasite sunmasına olanak veriyor. Şirketin HBM4 çözümü, yığın başına 3,3 TB/s’ye kadar bant genişliği sunuyor ve 2.048 pinli arayüze sahip ürünler 12-Hi yapıda 24 ve 36 GB, 16-Hi yapıda ise 48 GB kapasite sunuyor.

Şirket ayrıca HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 daha yüksek güç verimliliği, yüzde 10 daha iyi termal direnç ve yüzde 30 daha iyi ısı dağıtımı sağlıyor. Bu, Samsung’un HBM4 çözümü için önemli bir avantajdır ve şirketin HBM4 çözümü, daha yüksek hızlar ve daha fazla kapasite sunmasını sağlıyor.

Samsung’un HBM4 tarafındaki ilerlemesini destekleyen en önemli gelişmelerden biri AMD ile yapılan iş birliği. AMD, Instinct MI400 platformunda Samsung’un HBM4 belleklerini kullanıyor. Samsung ise HBM4E ile birlikte Nvidia’yı da müşteri portföyüne dahil etmeyi hedefliyor. Şirketin hedefinde Nvidia Rubin Ultra ve AMD’nin gelecek nesil MI500 serisi bulunuyor.

Samsung’un HBM4 çözümü, 1c sınıfı 10 nm DRAM ve 4 nm mantık üretim süreçlerini kullanıyor. Bu, belleğin daha yüksek hızlara ulaşmasına ve daha fazla kapasite sunmasına olanak veriyor. Şirketin HBM4 çözümü, yığın başına 3,3 TB/s’ye kadar bant genişliği sunuyor ve 2.048 pinli arayüze sahip ürünler 12-Hi yapıda 24 ve 36 GB, 16-Hi yapıda ise 48 GB kapasite sunuyor.

Şirket ayrıca HBM3E’ye kıyasla yüzde 40 daha yüksek güç verimliliği, yüzde 10 daha iyi termal direnç ve yüzde 30 daha iyi ısı dağıtımı sağlıyor. Bu, Samsung’un HBM4 çözümü için önemli bir avantajdır ve şirketin HBM4 çözümü, daha yüksek hızlar ve daha fazla kapasite sunmasını sağlıyor.

Samsung’un HBM4 tarafındaki ilerlemesini destekleyen en önemli gelişmelerden biri AMD ile yapılan iş birliği. AMD, Instinct MI400 platformunda Samsung’un HBM4 belleklerini kullanıyor. Samsung ise HBM4E ile birlikte Nvidia’yı da müşteri portföyüne dahil etmeyi hedefliyor. Şirketin hedefinde Nvidia Rubin Ultra ve AMD’nin gelecek nesil MI500 serisi bulunuyor.