Samsung 1,4 nm Sürecini Erteledi: 1 nm İçin High-NA EUV’ye Odaklanıyor

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

Samsung Foundry, yarı iletken çip üretim teknolojileri yol haritasını güncelledi. Buna göre 1,4 nm sınıfındaki SF1.4 süreci 2027 yerine 2029da devreye alınacak. Şirket, bu süreçte 2 nm ailesinin üretim verimliliğini ve hacmini artırmaya odaklanacak.

2 nm ailesine odaklanılacak

Samsung’un önümüzdeki yıllarda SF2, SF2P, SF2X, SF2A ve arka taraf dağıtımını kullanan SF2Z süreçlerine ağırlık vermesi bekleniyor. Samsung, bu süreçleri geliştirdikten sonra SF1.4 üretim teknolojisini 2029’da kullanıma sunacak.

Şirketin temel hedeflerinden biri, SF2 ailesinde üretim verimliliğini ve hacmini artırarak teknolojiyi daha rekabetçi hale getirmek. Bu yaklaşımın arkasında Samsung’un büyük müşterileriyle yaptığı uzun vadeli anlaşmalar da bulunuyor.

Samsung, Tesla ile AI5 ve AI6 işlemcilerinin 2033’e kadar tedarik edilmesini kapsayan uzun vadeli bir anlaşma imzalamış durumda. Dolayısıyla şirket açısından mevcut 2 nm teknolojisi kritik önem taşıyor.

1 nm sınıfında High-NA EUV dönemi başlıyor

Samsung’un yeni yol haritasındaki en dikkat çekici değişikliklerden biri ise High-NA EUV teknolojisinin ilk kez belirli bir üretim süreciyle açık şekilde ilişkilendirilmesi. Şirket, 1 nm sınıfındaki SF1Asürecinden itibaren High-NA EUV litografi sistemlerini kullanmayı planlıyor.

Samsung’un planına göre 10 angstrom, yani 1 nm sınıfındaki üretim teknolojisi 2030 civarında devreye girecek. İlginç şekilde Samsung’un 1 nm sınıfı üretim sürecinin SF1.4+ ile birlikte var olması bekleniyor. SF1.4+’ın SF1.4’ün geliştirilmiş bir versiyonu olması planlanıyor ancak ikisi arasında farklı litografi yaklaşımı bulunacak.

Dolayısıyla Samsung bir tarafta Low-NA EUV tabanlı ve daha olgun üretim akışlarını, diğer tarafta ise High-NA EUV kullanan 1 nm sınıfı yeni nesil teknolojiyi paralel şekilde sürdürebilecek.

Samsung, ASML’nin 0,55 NA değerine sahip Twinscan EXE:5000 High-NA EUV sistemini satın aldı ve makineyi bir yılı aşkın süredir araştırmalarda kullanıyor. Ancak şirket bu teknolojiyi 2 nm veya 1,4 nm üretiminde kullanmak için acele etmiyor. Bunun temel nedeni High-NA EUV sistemlerinin yüksek maliyeti, daha küçük pozlama alanı ve seri üretim için gereken ek teknolojilerin henüz tam olarak olgunlaşmamış olması.