High NA EUV ile Çip Üretiminde Yeni Bir Dönem: Tarihler Belirleniyor

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

ASML’nin yeni nesil High NA EUV litografi teknolojisi, Intel’in ardından Samsung ve TSMC tarafından da benimseniyor. Şirketler ayrıca çip üretiminde kapasiteyi artırabilecek 12 inçlik fotomaskelere geçiş için ortak girişim başlattı.

Samsung ve TSMC, High NA EUV kullanacak

Çip üretiminde daha küçük üretim süreçlerine geçiş yarışı sürerken ASML’nin geliştirdiği High NA EUV litografi sistemleri sektörün yeni odak noktalarından biri haline geliyor. ASML, Intel’in ardından Samsung ve TSMC’nin de yeni nesil EUV makinelerini üretim süreçlerine dahil edeceğini açıkladı.

Samsung, 2028 yılına kadar High NA EUV teknolojisini DRAM üretiminde kullanmayı planlıyor. Dünyanın en büyük çip üreticisi TSMC ise teknolojiyi 2030’dan itibaren gelişmiş üretim süreçlerinde devreye alacak.

High NA EUV şu anda yalnızca Intel tarafından gerçek üretimde kullanılıyor. Intel, teknolojiyi 18A üretim sürecinde, belirli Core Ultra Series 3 (Panther Lake) işlemcilerinde uyguluyor. Şirket aynı zamanda 18A-P adı verilen daha gelişmiş bir süreç üzerinde çalışıyor. Bu süreç, Apple’ın gelecek nesil A serisi iPhone işlemcileri için değerlendirdiği seçenekler arasında bulunuyor. Yine daha gelişmiş 14A süreci de bu makinelerde şekilleniyor. ASML, Intel’in 18A süreciyle bugüne kadar 1 milyondan fazla wafer ürettiğini belirtiyor.

12 inçlik fotomaskeler geliyor

ASML’nin duyurusundaki bir diğer önemli gelişme ise çip üretiminde kullanılan fotomaskelerin boyutuyla ilgili. Şirket, Samsung ve TSMC ile birlikte mevcut 6 inçlik standarttan 12 inçlik fotomaskelere geçişi hedefleyen yeni bir girişim başlattı. SK Hynix de konsorsiyuma katılmayı değerlendiriyor.

Fotomaskeler, çip üzerindeki devre desenlerinin wafer üzerine aktarılmasında kullanılan ve adeta bir şablon görevi görüyor. Yeni 12 inçlik maskeler, özellikle High NA EUV ile üretilen daha büyük çiplerde daha küçük yapıların tek seferde basılmasına imkan tanıyacak.

Bunun önemli bir nedeni, mevcut High NA EUV üretiminde ortaya çıkan stitching adı verilen birleştirme işlemi. Daha büyük çiplerde tüm desen tek bir pozlamaya sığmadığı için farklı bölümlerin birbiriyle hizalanarak basılması gerekiyor. Bu yöntem üretim sürecini daha karmaşık hale getirirken maliyetleri de artırıyor.

12 inçlik fotomaskeler sayesinde daha büyük çiplerin desenlerinin bu işleme gerek kalmadan oluşturulması hedefleniyor. Böylece üretim karmaşıklığının ve maliyetlerin azaltılması, aynı zamanda verimliliğin (üretim) artırılması amaçlanıyor.

Üretim kapasitesi yüzde 40 artabilir

ASML, 12 inçlik fotomaskeler için gerekli üretim altyapısını kademeli olarak devreye alacak. Şirketin planına göre 12 inçlik fotomaske kullanan fabrikaların testleri 2031’de başlayacak, seri üretime ise 2033 yılında geçilmesi bekleniyor.

Şirkete göre bu dönüşüm sayesinde üretkenlikte yüzde 40’a varan artış görülecek.

Öte yandan mevcut Low NA EUV sistemlerinden High NA sistemlere geçiş kolay olmayacak. Intel burada erken davranarak daha yüksek maliyetin altına girmiş olsa da bir avantaj ve tecrübe yakalamış durumda. TSMC ve Samsung ise rakipleri olgunlaşmış bir tecrübeye erişmişken çeşitli üretim darboğazlarıyla karşılaşabilir.