19 Temmuz 2026Teknolojiye dair her şey!
Son Haberler
AnasayfaDonanımIntel’den tarihi muvaffakiyet: ASML’nin High-NA EUV teknolojisi birinci defa yüksek hacimli üretimde
Donanım

Intel’den tarihi muvaffakiyet: ASML’nin High-NA EUV teknolojisi birinci defa yüksek hacimli üretimde

Intel’den tarihi muvaffakiyet: ASML’nin High-NA EUV teknolojisi birinci defa yüksek hacimli üretimde
⏱ 2 dk okuma👁 33 görüntülenme
Intel, ASML’nin yeni nesil High-NA aşırı ultraviyole (EUV) litografi teknolojisini kullanarak yüksek hacimli çip üretimine başlayan ilk şirket oldu. ASML, yaptığı açıklamada Intel Foundry’nin Oregon’daki tesislerinde Intel 18A üretim süreci kapsamında belirli katmanları High-NA EUV ile üretmeye başladığını doğruladı.

Panther Lake işlemcilerinin üretiminde kullanılmaya başlandı

Haberi okuduğunuz için teşekkürler, bizi takip etmeyi unutmayın!

High-NA EUV teknolojisi, Intel’in Core Ultra Series 3 “Panther Lake” işlemcilerinin belirli katmanlarının üretiminde kullanılıyor. Ancak Panther Lake çipleri tamamen bu yeni teknolojiyle üretilmiyor. Intel, yalnızca en kritik katmanlarda High-NA EUV’den yararlanırken, çipin geri kalan bölümleri mevcut EUV ve diğer litografi yöntemleriyle üretilmeye devam ediyor.

ASML’ye göre High-NA ile üretilen katmanlar, mevcut 0.33 NA NXE EUV sistemleriyle üretilen katmanlarla aynı verimlilik seviyesine ulaştı. Ayrıca bu katmanlar “çift kalifikasyon” özelliğine sahip olduğu için aynı tasarım hem NXE hem de 0.55 NA EXE makinelerinde üretilebiliyor ve ortaya çıkan wafer’lar birbirinin yerine kullanılabiliyor.

Daha küçük transistörler ve daha yüksek hassasiyet

High-NA EUV, mevcut EUV sistemlerinde olduğu gibi 13,5 nanometre dalga boyundaki ışığı kullanıyor. Ancak optik sistemin sayısal açıklık (Numerical Aperture – NA) değeri 0.33’ten 0.55’e yükseltilerek çok daha küçük devre desenlerinin tek pozlamada oluşturulmasına imkan tanıyor.

Bu sayede tek pozlamada çok daha küçük devre desenleri oluşturulabiliyor ve üretim hassasiyeti önemli ölçüde artırılıyor. Artan çözünürlük, özellikle en kritik katmanlarda çoklu desenleme (multi-patterning) ihtiyacını azaltarak üretim sürecini sadeleştirirken desen doğruluğunu da yükseltiyor. Uzun vadede ise daha yüksek transistör yoğunluğu ve daha güçlü işlemcilerin geliştirilmesine katkı sağlaması bekleniyor.

Intel ile ASML, High-NA EUV teknolojisinin ticari kullanımı için uzun süredir ortak çalışmalar yürütüyor. Intel, 2024 yılında Oregon’daki Hillsboro tesisine sektörün ilk ticari TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV sistemlerinden birini kurmuştu. 400 milyon dolara mal olan sistem, standart EUV makinelerinin yaklaşık iki katı fiyata satılıyor. Daha sonra şirket, daha yüksek wafer üretim kapasitesi ve daha iyi hizalama doğruluğu sunan ikinci nesil TWINSCAN EXE:5200B sistemini kalifiye eden ilk üretici olmuştu.

Intel 14A sürecinde kullanım alanı genişleyecek

Intel Foundry Başkan Yardımcısı ve Genel Müdürü Naga Chandrasekaran, High-NA EUV’nin Intel 18A sürecindeki belirli katmanlarda kullanılmasının mevcut üretim ekipmanlarından daha yüksek verim alınmasını sağladığını ve gelecekteki üretim teknolojileri için önemli esneklik sunduğunu belirtti. Şirketin yol haritasına göre High-NA EUV, bir sonraki nesil Intel 14A üretim sürecinde çok daha fazla kritik katmanda kullanılacak.

ASML CEO’su Christophe Fouquet, High-NA EUV’nin yarı iletken üretiminde önemli bir dönüm noktası olduğunu belirterek, daha küçük ve daha yoğun devre desenlerinin özellikle yapay zeka odaklı yeni nesil işlemcilerin geliştirilmesini hızlandıracağını ifade etti.

Bu haber hakkında ne düşünüyorsun?

Tek tıkla reaksiyon bırakabilirsin.

Yorumlar

0 yorum
İlk yorumu sen yaz.

Yorum bırak

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir